Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2024
Идентификатор DOI: 10.61011/FTT.2024.12.59586.6393PA
Ключевые слова: vacuum arc, zirconium oxide, memristor, oxygen vacancies, вакуумная дуга, оксид циркония, мемристор, кислородные вакансии
Аннотация: Рассмотрен управляемый вакуумно-дуговой синтез наночастиц и нанокристаллических слоев на основе диоксида циркония ZrO2, позволяющий регулировать процентное соотношение моноклинной и тетрагональной фаз. Образование тетрагональной фазы связано с формированием большого количества кислородных вакансий, образующихся за счёт высокоскоростной закалки наночастиц. Образцы были охарактеризованы при помощи рентгенофазового анализа. Электрические свойства образцов исследованы методом импедансной спектроскопии и измерением вольт-амперных характеристик. Установлена зависимость диэлектрической проницаемости и проводимости в режиме постоянного тока от фазового состава. Сосуществование фаз m- и t-ZrO2 обеспечивают дефицит кислорода в объеме образца. Это способствует формированию двух обратимых состояний сопротивления --- эффект резистивного переключения. The controlled vacuum-arc synthesis of nanoparticles and nanocrystalline layers based on zirconium dioxide (ZrO2) is considered, which allows regulating the percentage ratio of the monoclinic and tetragonal phases. The formation of the tetragonal phase is associated with the formation of a large number of oxygen vacancies formed due to high-speed quenching of nanoparticles. The samples were characterized using X-ray phase analysis. The electrical properties of the samples were studied using impedance spectroscopy and measuring the current-voltage characteristics. The dependence of the permittivity and conductivity in the direct current mode on the phase composition was established. The coexistence of the m- and t- ZrO2 phases provides oxygen deficiency in the sample volume. This contributes to the formation of two reversible resistance states - the effect of resistive switching.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 66, № 12
Номера страниц: 2163-2167
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук