Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2025
Идентификатор DOI: 10.7868/S3034551025060215
Аннотация: Изучено влияние постростового отжига на дислокационную структуру малодислокационных монокристаллов германия диаметром 100 мм, выращенных методом Чохральского. Отжиг проводился в изотермических условиях при температуре 700°С в течение 40 ч в тепловом узле ростовой установки после отрыва кристалла от расплава перед началом охлаждения. Установлено, что плотность дислокаций в кристаллах, полученных с применением постростового отжига, составляет от 14 до 105 см-2, что в среднем в 5 раз ниже, чем в кристаллах, полученных в идентичных условиях, но без отжига. The effect of postgrowth annealing on the dislocation structure of germanium low-dislocation-density single crystals 100 mm in diameter grown by the Czochralski method has been studied. The annealing was performed at 700°C for 40 h in the thermal unit of crystal puller before cooling. It was found that the dislocation density ranging from 14 to 105 cm-2 in crystals growing with postgrowth annealing. The average dislocation density in crystals growing without annealing is on five times more.
Журнал: Кристаллография
Выпуск журнала: Т. 70, № 6
Номера страниц: 1048-1052
ISSN журнала: 00234761
Место издания: Москва
Издатель: Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Российская академия наук, Отделение физических наук