Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2025
Идентификатор DOI: 10.61011/JTF.2025.10.61343.74-25
Ключевые слова: copper oxides, stoichiometry, vacuum arc, memristors, оксиды меди, стехиометрия, вакуумная дуга, мемристоры
Аннотация: Исследован эффект резистивного переключения в нанокристаллических пленках оксида меди (CuxO), синтезированных вакуумно-дуговым осаждением в аргон-кислородной атмосфере. Методами рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии изучены структурные и электрофизические свойства пленок с различным фазовым составом (Cu2O, CuO, смешанные фазы). Установлено, что изменение парциального давления кислорода при синтезе позволяет управлять стехиометрией и дефектной структурой оксидов. Режимы проводящей атомно-силовой микроскопии использованы для локального анализа резистивного переключения, демонстрирующего биполярное поведение для смешанных фаз CuxO. Результаты подтверждают перспективность нанокристаллических оксидов меди для создания мемристоров с управляемыми характеристиками. The paper studies the effect of resistive switching in nanocrystalline copper oxide (CuxO) films synthesized by vacuum arc deposition in an argon-oxygen atmosphere. The structural and electrophysical properties of films with different phase compositions (Cu2O, CuO, mixed phases) are studied using X-ray diffraction, Raman and photoluminescence spectroscopy, and atomic force microscopy. It is found that changing the partial pressure of oxygen during synthesis allows one to control the stoichiometry and defect structure of oxides. Conductive atomic force microscopy modes are used for local analysis of resistive switching, demonstrating bipolar behavior for mixed CuxO phases. The results confirm the promise of nanocrystalline copper oxides for creating memristors with controlled characteristics.
Журнал: Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 95, № 10
Номера страниц: 1898-1905
ISSN журнала: 00444642
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН